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ICP-MS日常分析建議
  • 發(fā)布日期:2023-12-14      瀏覽次數(shù):819

    • I. 酸和容器產生的背景污染

      ICP-MS是用來分析超微量元素的技術,這也代表我們必須降低分析目標物的背景,過高的背景污染可能會產生偽陽性結果或是比較差的偵測極限。

      樣品前處理過程中,某些元素不會出現(xiàn)在稀釋用水、添加的酸和實驗容器中,但其他元素,例如堿土金屬(鈹、鎂、鈣、鍶、鋇)和過渡金屬,可能會從塑料材質的容器中溶出大量雜質。更換不同批次或不同品牌的實驗容器時,建議對容器的純度進行測試。

      酸的純度也可能會增加分析過程中觀察到的背景信號,元素分析通常使用的酸和其他試劑純度不同,例如硝酸、鹽酸或過氧化氫,但是對于超微量分析,應該使用最高純度的試劑。或者,可以使用酸純化系統(tǒng),這是一種經濟且有效的方法。

      Sub-boiling原理純酸制備儀|Acid Purification



      II. 樣品的基質組成


      雖然ICP-MS對不同的樣品基質具有高度的耐受性,但仍然有一些限制,像是含有溶解固體的樣品,除非進樣系統(tǒng)有配置氣體稀釋,否則溶解固體的含量不得超過0.3%~0.5%,大量的總溶解固體通常會抑制訊號,使用適當?shù)膬葮丝梢詫ζ溥M行校正,不過同時需要注意內標的RSD必須在80~120%之內。

      然而在某些情況下基質本身就會產生問題,例如有機化合物會影響?zhàn)ざ炔⒏淖冹F化器的效率;樣品中含有碳會增加砷和硒訊號多達10倍,必須利用微波輔助消化將C鍵total斷鍵來解決這個問題。




      III. 保養(yǎng)過度頻繁

      經常的保養(yǎng)不是才能延長儀器使用壽命嗎?其實并不然…。

      當系統(tǒng)運行時,ICP-MS在大氣和真空介面形成平衡的狀態(tài),樣品不斷地從錐體中沉積和蒸發(fā),這是最初觀察到訊號漂移的原因,但是從長遠來看,此過程有助于增強系統(tǒng)訊號的穩(wěn)定性。頻繁地清潔錐體將會破壞平衡條件,并導致系統(tǒng)漂移再次升高。

      有一些簡單的方法可以協(xié)助判斷何時需要清潔或更換錐體,例如使用1 ppb Co in 0.5% HCl溶液,監(jiān)控59Co和51(ClO+)之間的比例是一個有力的指標,在干凈的系統(tǒng)中可以輕松達到30:50。潛在的污染像是12C 39K+會導致觀察到的比率隨之減小,這可以透過調整碰撞反應氣來補償。長期使用下來,由于碰撞反應氣的增加將對靈敏度產生負面影響,因此系統(tǒng)終究會面臨既無法實現(xiàn)59Co和35Cl16O+該有的比例,也無法達到良好的靈敏度,建議這時候對match錐體進行清潔保養(yǎng)。




      IV. 使用正確的碰撞反應氣消除干擾


      多原子干擾一直是ICP-MS分析的一項重大挑戰(zhàn),而現(xiàn)在大部分的ICP-MS都配備了碰撞反應池(CRC)以消除這些干擾。通常在質譜zui受影響的區(qū)域介于40~100 m/z之間,使用氦氣消除多原子干擾非常有效,例如40Ar35Cl+干擾75As+。此外,以一種單一模式運行分析可以顯著提高實驗室的分析效率,每個樣品可以節(jié)省大約10~20秒的分析時間。

      在某些情況下,氫氣可以有效地抑制干擾,例如用氫氣除去40Ar40Ar+可以對80Se+進行最佳靈敏度和檢測極限分析,wei




      V. 有效利用儀器的線性動態(tài)范圍

      ICP-MS可以提供非常寬廣的線性動態(tài)范圍,使分析元素的濃度范圍從個位數(shù)ppt到百位ppm,大多數(shù)儀器提供10個數(shù)量級的動態(tài)范圍,相當于檢測低至0.5 cps到近10 Gcps。如果進一步的衰減主要元素的訊號,例如鈉或鈣,可以再延伸其分析濃度范圍。



      VI. 雙電荷干擾和同重素干擾


      當不同元素共享質量相同的同位素會發(fā)生同重素干擾,例如114Cd和114Sn,此類干擾可使用數(shù)學方程式來校正,它包括量測干擾元素之另一同位素,再由分析訊號扣除所對應之訊號。在報告中必須記錄使用何種同位素比例之數(shù)學方程式,并且在使用前必須演算其正確性。

      元素的第二電離電位低容易產生雙電荷干擾,從而允許生成[M]++離子。由于質譜儀是根據離子的質荷比(m/z)而不是直接透過質量來分離離子,因此這些干擾會影響質量1/2的分析物。例如,鋇(138Ba++)或鉛(206Pb++)可能會影響69Ga或103Rh。

      2.全質譜圖顯示Ba及其雙電荷離子存在產生的干擾

      (a)Ba同位素(130~138 m/z)曾在(b)65~69 m/z對導致對66zn+、68zn+或69Ga+的[M]++干擾





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